主要包括氢氧化铌或五氧化二铌以及不同的锂源。这些锂源可以是草酸锂、氢氧化锂、碳酸锂、甲酸锂或醋酸锂等。
此外，生长铌酸锂晶体的主要原料是碳酸锂（Li2CO3）和五氧化二铌（Nb2O5）。这些原料通常是白色粉末固体，并且可以由特定的生产机构提供。
请注意，具体的原材料选择可能会受到生产工艺、设备条件以及所需铌酸锂的性质等因素的影响。因此，在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的原材料。
铌酸锂晶圆是一种特殊的材料，其在光电集成领域有着广泛的应用。具体来说，铌酸锂晶圆是由铌酸锂材料制成的圆形薄片，具有优异的光学和电学性能，如低传输损耗、高电光调制效率等。这些特性使得铌酸锂晶圆在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域都有着重要的应用。
然而，由于铌酸锂材料的脆性较大，制作大尺寸的铌酸锂晶圆具有较大的难度。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圆。而最近，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在武汉下线，这是目前全球综合性能最优的光电集成芯片，其实现了低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成，具有极高的技术价值和应用前景。
铌钨合金作为一种高熔点合金，具有优异的耐高温、抗氧化、抗疲劳、耐腐蚀等性能。其熔点高达2630°C，在1600°C的环境中仍然可以保持很高的强度，具有较好的延展性等优点。因此，铌钨合金可以在高温环境下长期稳定工作，是一种非常有应用前景的高温合金材料。