1N5408参数如下:
浪涌电流Ifsm:125A
漏电流(Ir):5uA
电性参数:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.0V
芯片材质:GPP硅芯片
芯片个数:1
芯片尺寸:110MIL
引线数量:2
此外,1N5408的封装形式为DO-27,属于直插封装系列。其本体长度为9.5mm,加引脚长度为60.3mm,宽度为5.6mm,高度为5.6mm,脚长度为25.4mm。
M代表米,是长度的单位,用于表示距离、高度等,而瓦是功率的单位,用于表示电能转化率,即每秒钟转化的能量单位。
长度和功率是两个不同的物理量,不能互相转化,因此1M不等于瓦。
国际单位制(SI)是国际通用的计量单位标准,其中定义了7个基本单位,包括米、千克、秒、安培、开尔文、摩尔和坎德拉。
在SI中不包括瓦这个基本单位,而是通过其他单位的组合来表示功率,例如瓦特可以表示为焦耳每秒(J/s)。
是:正向电压最大值为1V,反向电压最大值为1000V,最大正向电流为3A,最大反向漏电流为5uA。
这些参数使得1N5408适用于大功率的整流电路,如电源适配器和直流电源等。
如果需要更详细的参数和特性,可以查阅相关的数据手册。