1.适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；
2.位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。
温馨提示：晶体缺陷是指在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。
但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域，这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
晶体缺陷分为点缺陷、线缺陷即位错、面缺陷、体缺陷四种。
晶体结构的衍射测量有X射线、电子和中子辐射源。
具体波长，对于X射线，与X射线的靶材选择有关；对于电子是和电镜选用的电子加速电压有关；中子源与加速器的出口站点选择有关。
三种源没有统一、固定的波长范围，正常情况应视所研究的晶体条件而选用或者设定。
点缺陷：空位，间隙原子和异类原子的缺陷线缺陷：位错，包含刃型位错，螺行位错。
面缺陷：晶界和亚晶界的缺陷。
晶体缺陷：即使在每个晶粒的内部，也并不完全象晶体学中论述的那样，原子完全呈现周期性的规则重复的排列。
把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷。
晶体中的缺陷的数量相当大，但因原子的数量很多，在晶体中占有的比例还是很少，材料总体具有晶体的相关性能特点，而缺陷的数量将给材料的性能带来巨大的影响。