当一块半导体薄片置于磁场中有 电流流过时，电子将受到 洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。
由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；IC为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件，Vh将完全取决于被测的磁场强度B。
一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。
如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。
《霍尔瓦特大街》作者是全勇先；小说简介：故事发生在1938年的中国东北，书中周乙是一名共产党特工，为了方便其潜伏在敌人内部，组织派遣了一名女报务员顾秋妍假扮他的妻子。
面对特务科心思缜密的强大对手高彬，两人的真实身份面临着严峻挑战。
同时，这对"假夫妻"之间的关系也在悄悄地改变着。
然而，等待他的却是另一条不归路。
霍尔电压传感器是一种利用霍尔效应，将原边电压通过外置或内置电阻，将电流限制在10mA,此电流经过多匝绕组之后，经过聚磁材料将原边电流产生的磁场被气隙中的霍尔元件检测到，并感应出相应电动势，该电动势经过电路调整后反馈给补偿线圈进而补偿，该补偿线圈产生的磁通与原边电流（被测电压通过限流电阻产生）产生的磁通大小相等，方向相反，从而在磁芯中保持磁通为零。
实际上霍尔电压传感器利用的是和磁平衡闭环霍尔电流传感器一样的技术。
霍尔电压传感器正是基于霍尔闭环零磁通原理，来实现测量直流电压，交流电压和混合波形的电压。