负电子亲和势是指体内的有效电子亲和势，而不是指表面电子亲和势。

NEA发射体和常规光电发射体的表面，电子状态是类似的，导带底上的电子能量都低于真空能级，其差值为Ea。

但两者体内电子能量不同。

NEA发射体导带底的电子能量高于真空能级，而常规发射体电子亲和势仍是正的。

NEA阴极的量子效率高于正电子亲和势阴极。

价带中的电子吸收光子能量，跃迁到导带底以上，成为热电子。

在向表面运动的过程中，由于碰撞散射而发生能量损失，故很快就落到导带底而变成冷电热电子的平均寿命非常短。

如果在这么短的时间内能够运动到真空界面，自然能逸出。

但是热电子的逸出深度只有几十纳米，绝大部分电子来不及到达真空界面，就已经落到导带底变成冷电子。

冷电子的平均寿命比较长其逸出深度可达1000纳米。

因为体内冷电子能量仍高于真空能级，所以运动到真空界面时，很容易地逸出。

因此NEA量子效率比常规发射体高得多。